РИД
№ АААА-Г19-619122390079-7Быстродействующий выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах
23.12.2019
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании быстродействующего ради-ационно-стойкого и низкотемпературного схемотехнического решения буферного усилителя (БУ) на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, обеспечивающе-го повышенную стабильность статического режима транзисторов, малое напряжение смеще-ния нуля и низкий уровень шумов, в том числе при работе в диапазоне низких температур.Краткое техническое описание: Предлагается схемотехника буферного усилителя, в котором предусмотрена система мер по повышению его быстродействия при импульсных входных сигналах, оптимизации цепи установления статического режима комплементарных полевых транзисторов БУ, минимизации напряжения смещения нуля и расширению диапазона изменения выходного напряжения при работе БУ в диапазоне низких температур.
ГРНТИ
47.01.01 Руководящие материалы
Ключевые слова
БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ВЫХОДНОЙ КАСКАД АНАЛОГОВЫХ МИКРОСХЕМ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ ДЛЯ РАБОТЫ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
Детали
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Датчики физических величин, электронные устройства автоматики, вычислительной техники, систем связи и телекоммуникаций, в т.ч. работающие в условиях воздействия радиации и низких температур; предприятия и организации, занимающиеся разработкой и производством мало-шумящей аналоговой электронной компонентной базы для тяжелых условий эксплуатации.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет"
Заказчик
Российский научный фонд
Похожие документы
Быстродействующий выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах
0.977
РИД
Двухтактный выходной каскад класса AB аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах для работы при низких температурах
0.968
РИД
Выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
0.964
РИД
Буферный усилитель класса АВ на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах
0.956
РИД
Быстродействующий двухтактный буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах
0.946
РИД
Входной дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах для работы при низких температурах
0.946
РИД
Низкотемпературный входной каскад операционного усилителя с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
0.944
РИД
Операционный усилитель с «плавающим» входным дифференциальным каскадом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
0.940
РИД
Низкотемпературный и радиационно-стойкий повторитель напряжения (ПН) на комплементарных полевых транзисторах с управляющим pn-переходом (JFET) для задач проектирования активных RC-фильтров
0.939
РИД
Промежуточный каскад операционного усилителя с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
0.936
РИД