РИД
№ 621071200024-9

Тестовая ячейка для контроля качества изготовления диодов Шоттки на карбиде кремния

12.07.2021

Областью применения предлагаемой полезной модели является микроэлектроника, а именно – контроль качества при производстве полупроводниковых приборов на основе кремния и карбида кремния. Результатом предлагаемой полезной модели является повышение и расширение возможностей оперативности контроля планарных элементов повышающих напряжение пробоя на основе слаболегированных JTE-колец. Указанный технический результат достигается тем, что тестовая ячейка для контроля качества изготовления диодов Шоттки на карбиде кремния, состоящая из рабочего диода Шоттки, сформированного на эпитаксиальной структуре одного типа проводимости и содержащего охранную систему из колец другого типа проводимости, отличающаяся тем, что в ней дополнительно сформирован диод такой же по конструкции, как и рабочий, у которого по всей площади контакта Шоттки сформирован участок другого типа проводимости глубиной равной глубине внутреннего кольца.
ГРНТИ
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
карбид кремния
диод Шоттки
контроль качества
тестовая ячейка
Детали

Тип РИД
Полезная модель
Сферы применения
Микроэлектроника.
Ожидается
Заказчик
Исполнители
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Брянский государственный технический университет"
Заказчик
Закрытое акционерное общество "Группа Кремний Эл"
Похожие документы
Тестовый элемент для контроля качества изготовления высоковольтных карбидокремниевых диодов Шоттки
0.956
РИД
ТЕСТОВАЯ ЯЧЕЙКА ДЛЯ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ ШОТТКИ НА КАРБИДЕ КРЕМНИЯ
0.942
Промышленная инновация
ТЕСТОВАЯ ЯЧЕЙКА ДЛЯ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ ШОТТКИ НА КАРБИДЕ КРЕМНИЯ
0.941
Промышленная инновация
ТЕСТОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КАРБИДОКРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ
0.925
Промышленная инновация
Диод Шоттки на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия
0.914
РИД
Оптимизированная топология интегральной схемы включения ТГц планарного диода Шоттки с вискером, воздушным выводом и заземляющим отверстием
0.909
РИД
Кремниевый диод шотки
0.898
Промышленная инновация
СИЛОВОЙ ДИОД ШОТТКИ НА КАРБИДЕ КРЕМНИЯ
0.893
Промышленная инновация
Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия
0.890
Диссертация
Исследование изменения характеристик диодов Шоттки при воздействии специальных факторов и определение стойкости к ним на моделирующих и имитирующих установках в соответствии с утвержденной программой-методикой испытаний"
0.887
ИКРБС