Метод получения антиотражающих покрытий из массива частиц SiGe посредством их самоорганизации на подложках кремния

Разработан метод получения покрытий из плотных массивов диэлектрических частиц SiGe субволнового размера на основе обнаруженного нами ранее явления несмачиваемости поверхностей кремния слоями SiGe. Проведённые оптические исследования показали, что такие покрытия обладают сильными антиотражающими свойствами в широком спектральном диапазоне от видимой области до ~ 4 мкм в зависимости от размера частиц SiGe. Полученный результат демонстрирует эффективность таких покрытий, которые могут быть использованы в оптоэлектронных преобразователях, таких как солнечные элементы и фотодетекторы.