РИД
№ 622012400410-0Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом
24.01.2022
Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом, включающий смешивание порошков селенида цинка и моноселенида хрома и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона вертикальной зонной плавкой. Способ позволяет получать кристаллы ZnSe с концентрацией хрома, практически совпадающей с содержанием Cr в исходной загрузке.
ГРНТИ
31.15.33 Электрохимия
29.19.11 Дефекты кристаллической структуры
29.17.25 Анизотропные жидкости. Жидкие кристаллы
Ключевые слова
рост кристаллов
легирование
селенид цинка
Детали
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Изобретение относится к области выращивания кристаллов.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук
Заказчик
Федеральное агентство научных организаций
Похожие документы
Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом
0.951
РИД
Способ пастилляции селенида цинка
0.909
РИД
Нестехиометрия и люминесцентные свойства кристаллического селенида цинка
0.905
Диссертация
Способ получения особо чистых халькогенидных стекол системы германий-селен
0.902
РИД
Диффузионное легирование CVD-ZnSe ионами Cr²⁺
0.894
Диссертация
Способ получения пленок твердых растворов замещения CdPbS методом ионообменной трансформации пленок CdS
0.891
Промышленная инновация
Структурные и оптические свойства кристаллов селенида и сульфида цинка. легированных железом и хромом
0.890
Диссертация
Способ получения монокристаллов CoSi химическим транспортом паров
0.889
РИД
Электролитический способ получения наноразмерного кремния из иодидно-фторидного расплава
0.886
РИД
Способ легирования кремния
0.886
Промышленная инновация