Установка для получения (Se,S) – содержащих пленок методом фотостимулированной селенизации

Изобретение относится к технологии получения (Se,S) содержащих полупроводниковых пленок и может быть использовано для формирования однородных по толщине и составу пленок. Установка для получения однородных по толщине и составу (Se,S) содержащих полупроводниковых пленок методом фотостимулированной селенизации, на гибких полиимидных подложках при пониженных температурах рекристаллизационного отжига, включающая в себя рабочий объем с подключенной к нему системой высоковакуумной откачки и установленного в нем квазизамкнутого реактора оригинальной конструкции. Квазизамкнутый реактор состоит из реакционного объема, снабженного резистивным нагревателем, с размещенной в нем стойкой, в несквозном туннеле в которой установлена термопара и почти плотно установленной на стойке цилиндрическим полым держателем, отличающийся тем, что подложкодержатель и источник легколетучей компоненты (Se,S) закреплены на разъемной конструкции, которая помещается на стойке держателя, а для проведения процессов фотостимулированной селенизации сверху квазизамкнутого объема расположена крышка с выточенным в нем пазом для установки в ней кварцевого окна с системой крепления и источником оптического излучения. Источник оптического излучения состоит из корпуса с теплоотражателем и трех установленных по кругу галогенных ламп. Изобретение позволяет получать пленки, например, CuGaSe2, со структурой халькопирита на поверхности полиимидной подложки при пониженных температурах рекристаллизационного отжига потому, что при синтезе пленки проводилась фотостимуляция поверхности интегральным оптическим излучением длина волны которой определялась оптической шириной запрещенной зоны CuSe2, GaSe2 и CuGaSe2, за счет повышения температуры в зоне рекристаллизации вследствие дополнительного выделения тепла