Способ получения тонкой пленки CuInGaSe2 методом управляемой селенизации

Метод селенизации является перспективным направлением получения пленок CuInGaSe2. Технический результат предлагаемого изобретения направлен на создание способа получения высококачественных пленок CuInGaSe2. Указанный технический результат достигается за счет того, что тонкую пленку CuInGaSe2получают в высоковакуумной термодиффузионной печи путем термообработки предварительно напыленной магнетронным распылением сплавной мишени стехиометрического состава интерметаллической пленки Cu-In-Ga на стеклянной подложке, в реакционной смеси паров селена и инертного газа. I этап термообработки проводился при температуре Т = 250 °С, а II этап при Т = 550 °С. На I этапе давление смеси паров селена и инертного газа. поддерживается при низких значениях для обеспечения чистоты получаемой пленки, а на II этапе давление увеличивается для уменьшения процессов реиспарения бинарных селенидов меди индия и галлия.