Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS векторного фазовращателя Х-диапазона с интегрированными корректирующими ЦАП

26.08.2022

ИМС представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально ИМС является векторным фазовращателем, работающим в диапазоне частот 8-12 ГГц. Векторный фазовращатель содержит активный симметрирующий трансформатор, формирующий дифференциальный сигнал, а также полифазный фильтр, формирующий квадратурные сигналы, аналоговый дифференциальный сумматор, ЦАП и драйвер управления. ИМС предназначена для использования в составе приемопередающих модулей Х-диапазона. Технические характеристики: диапазон частот 8-12 ГГц; разрядность 6 бит; диапазон перестройки фазы 360 градусов; коэффициент передачи 5±1 дБ, коэффициент отражения по входу не менее -15 дБ; коэффициент отражения по выходу не менее -10 дБ; фазовая ошибка не более 1 град. Размеры кристалла 1,45x0,98 мм2

ГРНТИ

47.33.31 Интегральные микросхемы

Ключевые слова

МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА

SIGE BICMOS ТЕХНОЛОГИЯ

ВЕКТОРНЫЙ ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ

ЦАП

Детали

Тип РИД

Топология интегральных микросхем

Сферы применения

Приемо-передающие модули Х-диапазона, системы телекоммуникации и связи

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"

Похожие документы

Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS двойного балансного субгармонического смесителя К-диапазона со встроенным усилителем гетеродина и полифазным фильтром

0.963

РИД

Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS дифференциального буферного усилителя Х-диапазона

0.954

РИД

Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS двойного балансного смесителя диапазона частот 1,5-4,5 ГГц

0.953

РИД

Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS дифференциального широкополосного буферного усилителя диапазона частот 1,5-5 ГГц

0.953