Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS дифференциального буферного усилителя Х-диапазона

Интегральная микросхема представляет собой SiGe монолитную интегральную схему, выполненную на основе 0,25 мкм SiGe BiCMOS технологии. Функционально интегральная микросхема является дифференциальным буферным усилителем, работающим в диапазоне частот 8-12 ГГц. Усилитель содержит усилительных каскад на основе каскодного соединения транзисторов, цепь активного смещения и корректирующе- согласующие цепи. Интегральная микросхема предназначена для использования в составе приемо-передающих модулей Х-диапазона. Технические характеристики: диапазон частот 8-12 ГГц; коэффициент усиления 10±1 дБ, коэффициент отражения по входу -8 дБ; коэффициент отражения по выходу не менее -10 дБ; уровень выходной мощности по Р1дБ не менее 6 дБм; напряжение питания +3,3 В; ток потребления 15 мА. Размеры кристалла 0,7x0,8 мм2