Конструкция поверхностного ТГц излучателя

Изобретение относится к полупроводниковым материалам группы А3В5, используемым для изготовления поверхностных излучателей терагерцевого диапазона (ТГц) на основе встроенного поля или эффекта Дембера, а также фотопроводящих антенн (ФПА). Суть изготовления поверхностного излучателя заключается в использовании специальной конструкции структуры, включающей в себя легированный буферный слой вместо обычно используемого нелегированного. Для этого, используя стандартную подложку GaAs или InP, перед фотопроводящим слоем эпитаксиально выращивается буферный слой необходимого состава с толщиной 200 нм, легированный мелкой донорной примесью до концентрации носителей 5×1018 см-3. Далее на нем формируется фотопроводящий слой необходимого состава толщиной 0,5-1 мкм. Наибольшая эффективность достигается для создания поверхностного излучателя на основе слоев GaAs, хотя конструкцию можно использовать для изготовления ТГц излучателей любого типа на основе любых полупроводниковых соединений, включая структуры для ФПА.