Способ изготовления детекторов терагерцового диапазона

Изобретение относится к оптическим технологиям получения структурных образований нано- и микрометровых размеров, в частности к лазерным методам формирования на подложках наноструктур, к технологиям изготовления быстродействующих детекторов электромагнитных колебаний терагерцового диапазона. Задачей, решаемой предлагаемым изобретением, является увеличение разрешающей способности способа лазерно-пиролитического нанесения анодного электрода туннельного МДМ диода. Решение задачи достигается тем, что в способе изготовления детекторов терагерцового диапазона электромагнитных волн с туннельными МДМ диодами, включающем последовательное формирование на поверхности полупроводниковой пластины слоя металла катода, тонкого слоя туннельного изолятора, слоя вспомогательного изолятора с отверстиями, лазерно-пиролитическое нанесение металла анода и формирование микрополосковой линии, в соответствии с изобретением, слой вспомогательного изолятора напыляют в вакууме на слой туннельного изолятора с предварительно осаждённым на его поверхность слоем не соприкасающихся между собой наносфер, после чего получают отверстия удалением наносфер и затем формируют анодный электрод адресуемым лазерно-пиролитическим нанесением металла в атмосфере, содержащей пары летучего химического соединения металла, на участок вспомогательного изолятора с перекрытием краёв отверстия, продолжая нанесение до формирования микрополосковой линии. Техническим результатом изобретения является создание способа изготовления детекторов терагерцового диапазона электромагнитных волн.