Детектор сверхкоротких импульсов рентгеновского излучения

Детектор выполнен на основе высокорезистивного арсенида галлия, компенсированного хромом. Чувствительный слой детектора выполнен из полупроводника, предварительно облученного электронами с энергией, формирующей однородное распределение радиационных дефектов по толщине чувствительного слоя при дозовой нагрузке не менее 100 кГр, позволяющей увеличить быстродействие детектора до уровня регистрируемых импульсов рентгеновского излучения за счет уменьшения времени жизни электронов. Технический результат – возможность регистрировать рентгеновские импульсы малой длительности 4 нс и ниже.