Программа расчета параметров резистивного переключения мемристорных структур на основе оксидов металлов

17.05.2023

Программа предназначена для расчета основных параметров резистивного переключения мемристорных структур с помощью численного решения уравнений Лапласа и теплопроводности, использования метода переменных направлений и теории Пула-Френкеля. Программа позволяет рассчитать параметры резистивного переключения мемристорных структур, такие как распределения температуры, потенциала и напряженности электрического поля, вероятности возникновения кислородных вакансий в объёме оксидного слоя, а также расчетные вольт-амперные характеристики мемристорных структур. Программа способствует пониманию механизмов работы и оптимизации мемристорных структур на основе оксидов металлов.

ГРНТИ

27.35.38 Математические модели физики полупроводников

29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела

47.09.48 Наноматериалы для электроники

Ключевые слова

мемристивные свойства

нейроморфная электроника

оксид металла

тонкие пленки

Детали

НИОКТР

№ 122071400023-4

Тип РИД

Программа для ЭВМ

Сферы применения

Программа призвана снизить затраты на натурные эксперименты и частично заменить их на вычислительные Потенциальными потребителями программы являются научно-исследовательские центры и предприятия, работающие в области разработки и исследования мемристорных структур на основе оксидов металлов. Потенциальными покупателями можно назвать предприятия полупроводниковой промышленности, такие как ФГУП «РНИИРС» (г. Ростов-на-Дону), ОАО НПП «Исток» (г. Фрязино), НИЦ «Курчатовский институт», (г. Москва) и др.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

Программа раcчета параметров резистивного переключения мемристорных структур на основе оксидов металлов

0.950

РИД

Программа для автоматизации параметрического анализа многоуровневого резистивного переключения нейроморфных структур

0.916