РИД
№ 623112700289-5Программа для автоматизации параметрического анализа воспроизводимости резистивного переключения мемристивных наноматериалов и структур
27.11.2023
Программа предназначена для автоматизации параметризации мемристивных наноматериалов, в частности, анализа воспроизводимости резистивного переключения мемристивных наноматериалов и структур при помощи электрометра Keithley 6517B.
Приложение позволяет получать и визуализировать в реальном времени endurance тест при заданных пользователем напряжениях чтения, записи и перезаписи. Кроме амплитуды подаваемого напряжения пользователь может также определить длительность соответствующих импульсов напряжения, а также интервал между ними. С заданным набором параметров тест может быть запущен несколько раз подряд в автоматическом режиме Также возможен запуск теста в режиме пропуска определенного количества циклов для оптимизации временных затрат на исследование. В таком случае на исследуемую структуру в каждом цикле записи/презаписи подается все четыре импульса, но при этом считывание состояний ON и OFF измерительным прибором осуществляется однократно за тот интервал, что указан пользователем. Текущие значения тока при измерении отображаются в интерфейсе программы в виде обновляемой в реальном времени endurance характеристики. Результаты измерения сохраняются в текстовый и графический файлы.
ГРНТИ
90.27.34 Измерения электрических и магнитных величин
50.53.15 Автоматизация процессов проведения научных экспериментов
50.53.17 Автоматизация сбора и обработки данных научного эксперимента
47.09.48 Наноматериалы для электроники
Ключевые слова
мемристивные свойства
автоматизированные измерения
нейроморфная электроника
Детали
НИОКТР
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
Программа призвана автоматизировать процесс измерения, обработки и визуализации результатов параметризации мемристивных материалов позволяет снизить временные и денежные издержки потребителя при разработке устройств нейроморфной электроники.
Потенциальными покупателями являются научно-производственные центры и предприятия полупроводниковой промышленности, такие как ФГУП «РНИИРС» (г. Ростов-на-Дону), АО «Светлана-Рост» (г. Санкт-Петербург), НПП «Пульсар» (г. Москва) и др.
Также к потенциальным потребителям можно относятся научно-образовательные организации: НИУ «МИЭТ» (г. Москва), «ННГУ им. Н. И. Лобачевского» (г Нижний Новгород), НИЦ «Курчатовский институт» (г. Москва) и др.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Программа для автоматизации параметрического анализа воспроизводимости резистивного переключения мемриcтивных наноматериалов и структур
0.992
РИД
Программа для автоматизации параметрического анализа временной стабильности резистивного переключения мемристивных наноматериалов и структур
0.986
РИД
Программа для автоматизации параметрического анализа временной стабильности резистивного переключения мемристивных наноматериалов и структур
0.986
РИД
Программа для автоматизации параметрического анализа многоуровневого резистивного переключения нейроморфных структур
0.975
РИД
Программа для автоматизации параметрического анализа многоуровневого резистивного переключения нейроморфных структур
0.975
РИД
Программа для автоматизации параметрического анализа вольт-амперных характеристик мемристивных наноматериалов
0.968
РИД
Программа для автоматизации параметрического анализа вольт-амперных характеристик мемристивных наноматериалов
0.968
РИД
Программа расчета параметров резистивного переключения мемристорных структур на основе оксидов металлов
0.914
РИД
Программа для автоматизации параметрического анализа многоуровневого резистивного переключения мемристивных наноматериалов и кроссбар структур нейроморфной микроэлектронной компонентной базы
0.900
РИД
Программа для автоматизации параметрического анализа быстродействия резистивного переключения мемристивных кроссбар структур нейроморфной микроэлектронной компонентной базы
0.885
РИД