Устройство для получения силицена

Полезная модель относится к области получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов в вакууме и может быть использована для производства кремний-содержащих логических компонентов приборов наноэлектроники, композитных материалов для реального сектора экономики. Устройство для получения силицена представляет собой вакуумную камеру, к корпусу которой посредством фланцевых соединений присоединены система откачки и контроля давления, источник кремния, кварцевые микровесы. Вольфрамовая подложка с нанесенным на ее поверхность слоем монокристаллического серебра закреплена на нагревательном элементе. Устройство работает следующим образом. При достижении давления в камере 1 уровня вакуума от 10-8 до 10-10 мбар производят нагрев монокристаллической вольфрамовой подложкой с предварительно нанесенным монокристаллическим слоем серебра до определенной температуры в диапазоне от 200 до 300 °С. Затем производят термическое нанесение одного монослоя кремния. Силицен формируется за счет миграции атомов кремния на поверхности нагретой монокристаллической вольфрамовой подложки с предварительно нанесенным монокристаллическим слоем серебра, а кристаллическая ориентация силицена задается структурными параметрами слоя серебра.