Способ изготовления полупроводниковых структур

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ осуществляется следующим образом: на пластины р-Si (10 Ом*см) с ориентацией (100), наносят слой кремния n-типа проводимости толщиной 80 нм и последовательно формируют 2-слойную структуру (SiO2+Si3N4), SiO2 толщиной 38 нм, нитрид кремния Si3N4 толщиной 24 нм, по стандартной технологии. Сформированную структуру подвергают бомбардировке электронами энергией 25 кэВ, дозой (1,6-3,2)*10-5 Кл/см2 с последующим отжигом путем высокочастотного нагрева (13,56 МГц) при мощности ВЧ-генератора 500 Вт в течение 7,5 мин, давлении 10-2 мм рт.ст. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, а также обеспечивает технологичность, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.