Способ изготовления полупроводникового прибора

Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния n -типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом*см, выращивался слой термического слоя оксида SiO2 10 нм со скоростью роста 0,2 нм/мин окислением в сухом кислороде при температуре 850°С и атмосферном давлении в течение 50 мин. Азотирование 10 нм термического оксидного слоя SiO2 проводилась при температуре 850°С в среде аммиака NH3 при давлении 1* 104 Па, в течение 60 мин а последующее реоксидирование азотированного оксида проводили в сухом O2 при атмосферном давлении в течение 180 мин при температуре 850°С. Области полевого транзистора и контакты к этим областям формировали по стандартной технологии. Выбор условий реоксидирования обусловлен необходимостью удаления электронных ловушек и подавления образования состояний на границе раздела. Технический результат: снижение токов утечек и влияние горячих электронов, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.