Способ определения петель гистерезиса аморфных ферромагнитных микропроводов на основе железа

Изобретение относится к измерительной технике, предназначено для регистрации магнитных полей рассеяния ферромагнитных материалов и веществ и может найти применение для изучения пространственных и временных зависимостей магнитной индукции магнитных материалов. Техническим результатом является создание способа, позволяющего определять с достаточной чувствительностью намагниченность насыщения, остаточную намагниченность и петли гистерезиса образцов микропроводов на основе железа длиной более 10 мм и с магнитным моментом < 1 Ам2. Технический результат достигается путем измерения с помощью сканирующего ГМИ магнитометра профилей распределения вертикальной компоненты магнитной индукции над осью исследуемого образца микропровода на фиксированной высоте при заданных значениях магнитного поля, ступенчато изменяемого с заданным шагом, и определения магнитного момента микропровода из измеренных данных путем, сравнения с модельными расчетными данными. Для этого микропровод фиксируют на координатном столике и прикладывают к нему максимальное внешнее магнитное поле, направленное вдоль оси микропровода, обеспечивают взаимное относительное перемещение между столиком с образцом и ГМИ магнитометром в плоскости Х-Y с шагами X, Y на фиксированной высоте от магнитометра, измеряют локальную магнитную компоненту полей рассеяния над поверхностью образца и получают поточечное магнитное изображение микропровода с двумя распределенными магнитными экстремумами над его противоположными концами, из которого выбирают первый профиль значений [В*z(х,у0), Hmax], соответствующий значениям вертикальной компоненты поля над осью микропровода, (где У0 - координата, соответствующая положениям экстремумов). Затем уменьшают величину внешнего магнитного поля на величину Н, проводят повторные измерения локальной магнитной компоненты полей рассеяния вдоль оси микропровода (при Y = Y0) и получают второй профиль значений [В*z(х), Hmax - Н]. Данную процедуру измерений повторяют при всех значениях внешних магнитных полей в диапазоне ± Hmax. с шагом Н и получают в результате массив данных [В*z(х)i,, Hi], который используют для определения магнитного момента исследуемого образца микропровода [Мi, Hi] и построения петли гистерезиса.