РИД
№ 625111100171-0Тонкопленочный органический транзистор
11.11.2025
Изобретение относится к области органической электроники, а именно к тонкопленочным органическим транзисторам, может быть использовано в гибкой электронике, датчиках, дисплеях и других оптоэлектронных устройствах.
Техническим результатом изобретения является обеспечение повышения эффективности органического транзистора за счет применения диэлектрического слоя в виде пленки полиметилметакрилата.
Тонкопленочный органический транзистор содержит последовательно размещенные друг на друге подложку из стекла, токовый электрод из пленки оксида индия-олова, пленку полиметилметакрилата в качестве диэлектрического слоя, электроды алюминия в виде пленок с границей раздела между ними, на которую нанесен полупроводниковый слой из производных полианилинов.
ГРНТИ
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
органические материалы
подложка
ПММА
тонкопленочные структуры
Транзистор
Детали
НИОКТР
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Изобретение может быть использовано в гибкой электронике, датчиках, дисплеях и других оптоэлектронных устройствах.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "УФИМСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НАУКИ И ТЕХНОЛОГИЙ"
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Способ изготовления тонкопленочного транзистора
0.914
РИД
Разработка тонкопленочного прозрачного полевого транзистора для системы коммутации в прозрачных дисплеях
0.909
ИКРБС
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ГИБРИДНЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
0.905
РИД
Способ изготовления тонкопленочного транзистора
0.902
РИД
Тонкопленочный фотовозбуждаемый органический лазер на основе полиметакрилата
0.900
РИД
Прозрачный проводящий электрод резистивного сенсора
0.899
РИД
Способ изготовления тонкопленочного транзистора
0.898
РИД
Гетероструктурный полевой транзистор на основе полупроводникового соединения нитрида галлия
0.897
РИД
Способ изготовления тонкопленочного транзистора
0.896
РИД
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГИБКОЙ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩЕЙ ПОЛИМЕРНОЙ ПЛЕНКИ
0.896
РИД