Способ получения высокочистого оксида вольфрама (VI)

Изобретение может быть использовано в технологии материалов для фотоники и электроники. Предложен способ получения высокочистого оксида вольфрама (VI) методом перекристаллизации, включающий стадии растворения, очистки раствора от примесей, осаждения и термического разложения. Оксид вольфрама растворяют в растворе аммиака, затем отфильтровывают от взвешенных частиц и кристаллизуют методом выпаривания. Затем отделяют образовавшийся осадок от маточного раствора, высушивают, нагревают до 500°C и отжигают при температуре 500°C в течение 30 мин и при 800°C в течение 2 ч. После завершения процесса отжига и охлаждения реактора высокочистый оксид вольфрама (VI) извлекают в перчаточном боксе. Изобретение позволяет упростить процесс очистки оксида вольфрама (VI) путём сокращения количества стадий с получением высокочистого оксида вольфрама (VI) с химической чистотой не ниже 99,99 мас.%. 5 з.п. ф-лы, 2 табл., 2 пр.