Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs- и GaN-HEMT- структурах в условиях радиационного воздействия

Цель: разработка методов и средств для теоретического и экспериментального анализа переноса электронов в GaAs- и GaN-структурах HEMT до и после радиационного воздействия. Предложены методы численных и аналитических расчетов параметров транзисторов с двухмерным электронным газом на основе GaN и GaAs для определения их чувствительности к радиационному воздействию. Разработан комплекс измерительных средств для анализа параметров HEMT-структур и транзисторов на их основе до и после радиационного воздействия, и определен уровень их радиационной стойкости. Результаты могут быть использованы в Нижегородском государственном университете им. Н.И. Лобачевского, НПП «Салют», ЗАО «Элма-Малахит», ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова».