Исследование процессов тепло- и токопереноса в элементах СВЧ-устройств на основе нитридных и антимонидных гетероструктур

Цели: создание моделей физических процессов в элементах СВЧ-устройств, сформированных на основе нитридных и антимонидных гетероструктур; теоретическое и экспериментальное исследование прототипов приборов. Разработаны: эффективный алгоритм для расчёта потенциального профиля туннельно-резонансных гетеросистем посредством самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона с учётом наличия поляризационного заряда; математические модели физических процессов, протекающих в канале HEMT транзистора на основе гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InP; методы моделирования работы монолитной интегральной схемы, содержащей резонансно-туннельный диод и полевые транзисторы с затвором Шоттки. Изложены требования к электрическим и физическим характеристикам гетероструктур, позволяющим проводить монолитную интеграцию.