Гибридные структуры на основе III - V полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремнии

Цель исследования - разработка воспроизводимой технологии синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии и изучение свойств гибридных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов (ННК) на основе материалов InP/InAsP/InP/Si, (GaN, GaAs, AlGaAs, InAs)/SiC/Si, AlGaAs/GaAs/AlGaAs/Si для оптоэлектронных приложений. Разработана технология синтеза методом МПЭ, исследованы морфологические, структурные и оптические свойства ННК в направлении, перпендикулярном подложке Si(111), на основе материалов InP и InP/InAsP/InP. Разработана методика роста и исследованы морфологические и оптические свойства GaN, GaAs, AlGaAs и InAs ННК на гибридной подложке SiC/Si. Определены оптимальные параметры с точки зрения температуры и времени роста для синтеза методом МПЭ AlGaAs ННК в направлении, перпендикулярном подложке Si(111). Важной частью работы является исследование влияния соотношения потоков Al/Ga на морфологические, структурные и оптические свойства AlGaAs ННК на кремниевой подложке. С целью создания источников одиночных фотонов разработана методика синтеза методом МПЭ и исследованы морфологические, структурные и оптические свойства гибридных ННК на основе материалов AlGaAs/GaAs/AlGaAs/Si. Показано, что ННК в системе AlGaAs/GaAs/AlGaAs/Si являются источниками одиночных фотонов.