-Упорядоченные массивы нитевидных нанокристаллов III-V на кремнии: селективная эпитаксия и исследование свойств

Настоящий проект посвящен развитию методов синтеза квазиодномерных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов (ННК) соединений III-V на кремнии и может быть логически разделен на две основные стадии – отработка технологии создания маски за счет фотолитографии через массив упорядоченных микросфер для последующей селективной эпитаксии ННК и, собственно, исследование процессов формирования ННК GaP и его соединений на кремниевой подложке, на которой изготовлена такая маска.Развитие методов синтеза полупроводниковых ННК вызывает значительный интерес в последние десятилетия благодаря перспективам применения этих наноструктур в качестве элементов для построения приборов нанофотоники и наноэлектроники. Современные технологии позволяют не только синтезировать массивы ННК на рассогласованных подложках, но и получать наноструктуры с резкими гетерограницами, как в радиальной, так и в аксиальной геометрии. Стоит отметить, что варьирование толщин слоев различных полупроводниоквых соединений позволяет синтезировать структуры с уникальными электронными свойствами, благодаря чему на их основе могут быть созданы приборы, реализация которых сложна или невозможна на основе планарных структур.