Исследование механизма транспорта носителей заряда в мемристорных структурах

31.01.2023

Исследована мемристорная структура на основе Si3N4, в которой за счёт выбора материала верхнего электрода достигнуто значение окна памяти 107. Выявлено, что с учётом модификации стандартного уравнения Мотта-Гёрни для мемристорных структур на основе тонкой плёнки нитрида кремния, изготовленной методом LPCVD, транспорт носителей заряда осуществляется за счёт тока, ограниченного пространственным зарядом. Промоделирован и выявлен гауссов профиль распределения ловушек в запрещённой зоне нитрида кремния для мемристорных структур p+Si/SiO2/Si3N4/Me. Рассчитаны диапазон энергий ловушек в запрещённой зоне нитрида кремния и концентрация ловушек для случая гауссова распределения в мемристорных структурах на основе Si3N4. Определено время удержания состояния в мемристоре на основе нитрида кремния для случая неглубоких ловушек

ГРНТИ

29.35.01 Общие вопросы

Ключевые слова

мемристор

нитрид кремния

окно памяти

носители заряда

запрещенная зона

Детали

Автор

Мизгинов Дмитрий Сергеевич

Вид

Кандидатская

Целевое степень

Кандидат физико-математических наук

Дата защиты

28.12.2022

Организация защиты

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)"

Организация автора

Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники"

Похожие документы

Транспорт заряда в бесформовочных мемристорах на основе оксида и нитрида кремния

0.925

Диссертация

Транспорт заряда в бесформовочных мемристорах на основе оксида и нитрида кремния

0.924

Диссертация

Физические основы переключения многоуровнего мемристора для нейроморфных вычислений

0.917

ИКРБС