Исследование структурных и электрофизических свойств тонкоплёночных оксидных наноматериалов для структур мемристоров

Сформированы мемристорные структуры металл – диэлектрик – полупроводник (МДП) Au/Zr/YSH/QDInAs/nGaAs/n⁺-GaAs (QD InAs – квантовые точки InAs, YSH – стабилизированный диоксид гафния), и впервые обнаружено и исследовано синаптическое поведение этих структур, что представляет практический интерес в связи с их повышенной функциональностью (например, повышенной чувствительностью к стимулированию резистивного переключения световым излучением) по сравнению с мемристорными структурами металл – диэлектрик – металл (МДМ). Предложена методика измерения синаптических характеристик этих мемристорных структур при электрических воздействиях. С целью развития полученных ранее результатов сформированы МДП-структуры Au/Zr/YSZ/np-Au/Si (np-Au – наночастицы Au (концентраторы электрического поля), YSZ – стабилизированный диоксид циркония). Выяснено влияние np-Au в этих структурах на их электрические характеристики. Даны рекомендации по использованию таких np-Au в мемристорных МДП-структурах, что представляет практический интерес в связи с повышенной функциональностью этих структур по сравнению с мемристорными МДМ-структурами. Выполнен расчёт распределений электронов и вакансий кислорода в YSZ в мемристорных структурах Au/Zr/YSZ/TiN. Предложена методика измерения синаптических характеристик мемристорных структур Au/Zr/YSH/QD InAs/n-GaAs/n⁺-GaAs при воздействии на них светового излучения. Рассмотрены зависимости синаптических характеристик этих мемристорных структур от параметров внешнего воздействия на них. В связи с обнаружением повышенной чувствительности мемристорных МДП-структур к стимулированию их резистивного переключения световым излучением изучена возможность создания волноводных структур на основе вольфрам-теллуритных стёкол с целью подвода излучения к таким мемристорным структурам. Рассмотрены вопросы, связанные с возможностью управления магнитным состоянием материалов, используемых в элементах магниторезистивной памяти. Подготовлен научно-технический отчет.