«Оптические и электронные явления в нитевидных нанокристаллах АIIIВV при механической деформации»

Цель работы заключалась в комплексном экспериментальном исследовании электрофизических и оптических свойств одиночных нитевидных нанокристаллов фосфидов и арсенидов III группы при их упругой деформации. Была разработана и успешно применена методология деформации нитевидных нанокристаллов с помощью зонда атомно-силового микроскопа. В ходе работы получены данные о влиянии индуцированных ростовыми и внешними деформациями пьезоэлектрического и тензорезистивного эффектов на эффективность фотопреобразования солнечных элементов на основе ННК GaAs на Si. Далее был предложен способ управления проводимостью ННК InGaAs путем их одноосного растяжения, основанный на смещении дна зоны проводимости ниже поверхностного уровня Ферми при деформации. На основании этого эффекта был предложен тензорезистор с к-том тензочувствительности 1000-10000. Далее была измерена работа выхода в сфалеритных и вюрцитных ННК GaP, показано влияние кристаллической фазы, дефектов и состава поверхности на ее величину. Кроме того, было проведено исследование спектров комбинационного рассеяния света упруго-изогнутых ННК GaP, в ходе которого было показано влияние внутренней локализации возбуждающего электромагнитного поля на форму спектра. Выводы, сделанные на основе полученных экспериментальных результатов, были подтверждены численным моделированием.