ЭЛЕКТРОННЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУРАХ

Объекты исследования: гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge, гетероструктуры GaAs/AlGaAs, пористый Si и слои аморфного Si.Цель: выявление электронных и оптических явлений в гетероструктурах с ансамблем квантовых точек и механизмов усиления фототока в гибридных гетероструктурах, содержащих плотные слои квантовых точек Ge, путей повышения квантовой эффективности люминесценции наногетероструктур Ge/Si с квантовыми точками: разработка аналитических методов вычисления распределения упругой деформации в полупроводниковых гетероструктурах; установление физических особенностей полупроводниковых наноэлектромеханических систем на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs; развитие низкотемпературных методов формирования нанокристаллов кремния/германия и слоев Ge/Si на неориентирующих подложках с использованием плазменных технологий и импульсных лазерных отжигов. Показано, что перфорированные пленки золота на поверхности ИК-фотодетекторов Ge/Si с квантовыми точками обеспечивают большее плазмонное усиление фототока, увеличение квантовой эффективности и обнаружительной способности по сравнению с двухмерными массивами золотых дисков. Обнаружены эффекты плазмонного усиления сигнала фотолюминесценции от SiGe квантовых точек в спектральной области от 0,8 до 1 эВ для гибридных структур с наноостровками Ag, латерального спин-орбитального взаимодействия в квантовых точечных контактах на основе GaAs, если квантовые точечные контакты оторвать от подложки, что связано с усилением электрон-электронного взаимодействия, возникающего в результате отрыва мембраны с двухмерным электронным газом от подложки с высокой диэлектрической проницаемостью.