ОТЧЕТ О НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ по теме «ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ РОСТА, ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ НАНОСТРУКТУР ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ С ПЕРЕМЕННОЙ РАЗМЕРНОСТЬЮ»

Изучены различные методы синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии различных наногетероструктур на основе материалов GaAs, InAs, InP. Исследованы нитевидные нанокристаллы (ННК) и квантовые точки (КТ). Установлены основные зависимости роста ННК на поверхностях Si(111), Si(100) и SiC со слоем графена для системы А³В⁵ на примере GaAs. Показано, что при прочих равных условиях рост на поверхности кремния происходит при более низкой температуре эпитаксии. Проведены детальные исследования полученных структур методами сканирующей электронной микроскопии, трансмиссионной электронной микроскопии, рентгеновской дифракции (структурные свойства), а также фотолюминесценции при разной температуре наблюдения (оптические свойства). Исследована кинетика нелинейных процессов в коллоидных растворах квантовых точек СdSe/ZnS при воздействии пикосекундного лазерного излучения. Исследована зависимость оптических свойств плёнки ITO от температуры отжига структуры.