ИКРБС
№ АААА-Б16-216011360105-6«Экспериментальные исследования кинетики параметров элементов и узлов полупроводниковой СВЧ электроники в результате действия перепадов температуры и ИИ»(промежуточный)
22.12.2015
Проведено исследование с целью повышения надежности элементной базы полупроводниковой СВЧ-электроники космического базирования. Цель второго этапа ПНИ - исследование физических процессов деградации многослойных полупроводниковых гетероструктур МИС СВЧ и их элементов в результате действия перепадов температуры и ИИ. Исследования физических процессов деградации многослойных полупроводниковых гетероструктур МИС СВЧ и их элементов в результате действия перепадов температуры и ИИ проводятся для построения на их основе математических моделей, позволяющих оценить кинетику параметров функциональных узлов СВЧ под действием названных факторов. Разработанные математические модели и кинетика параметров элементов и узлов СВЧ под действием перепадов температуры и ИИ послужат основой для разработки методики оценки надёжности и радиационной стойкости элементной базы полупроводниковой СВЧ-электроники.
ГРНТИ
47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
81.81.07 Надежность. Безотказность, долговечность, ремонтопригодность
Ключевые слова
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
ПРОЦЕССЫ ДЕГРАДАЦИИ
МИС СВЧ
ДИОД.
Детали
НИОКТР
№ 114121550158
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (национальный исследовательский университет)"
Похожие документы
Исследование физических процессов деградации многослойных полупроводниковых гетероструктур МИС СВЧ и их элементов в результате действия перепадов температуры и ИИ. Этап 3
0.926
ИКРБС
Исследование кинетики спектральных характеристик токового шума элементов и узлов МИС СВЧ в результате действия перепадов температуры и ИИ. Этап 4
0.923
ИКРБС
ПРОВЕДЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ТЕСТОВЫХ СТРУКТУР НА СТОЙКОСТЬ К РАДИАЦИОННОМУ ВОЗДЕЙСТВИЮ
0.905
ИКРБС
ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРСПЕКТИВНЫХ СХЕМ ЭКСТРЕМАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ В РАСШИРЕННОМ ДИАПАЗОНЕ ТЕМПЕРАТУРЫ (–200 …+300°С)
0.892
ИКРБС
Отче по научно-исследовательской работе: ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРСПЕКТИВНЫХ СХЕМ ЭКСТРЕМАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ В РАСШИРЕННОМ ДИАПАЗОНЕ ТЕМПЕРАТУРЫ (-200 …+300°С) (итоговый)
0.892
ИКРБС
Исследование электрофизических свойств полупроводников в интенсивных пучках жесткого электромагнитного излучения: компьютеризированные средства моделирования и удаленного мониторинга процессов электрической релаксации в прибороориентированных кристаллах высокой степени интеграции и цифровых цепях
0.891
ИКРБС
ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРСПЕКТИВНЫХ СХЕМ ЭКСТРЕМАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ В РАСШИРЕННОМ ДИАПАЗОНЕ ТЕМПЕРАТУРЫ (–200 …+300°С)
0.890
ИКРБС
Разработка методики оценки надёжности и радиационной стойкости сложнофункциональной элементной базы СВЧ-электроники. Обобщение и оценка полученных результатов (заключительный этап)
0.885
ИКРБС
Экспериментальные исследования. Доработка составных частей пассивных и активных функциональных наноэлементов. Промежуточный.
0.883
ИКРБС
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПРОЕКТИРОВАНИЯ И ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ И ОБОРУДОВАНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
0.883
ИКРБС