ИКРБС
№ АААА-Б17-217060170058-1

Разработка методики оценки надёжности и радиационной стойкости сложнофункциональной элементной базы СВЧ-электроники. Обобщение и оценка полученных результатов (заключительный этап)

31.12.2016

Объект ПНИР - элементная база полупроводниковой СВЧ-электроники для космических аппаратов. Цель ПНИ - разработка научно-технических решений и методики оценки надёжности и радиационной стойкости для расчёта времени наработки до отказа элементной базы полупроводниковой СВЧ-электроники для космических аппаратов; разработка, изготовление и экспериментальные исследования элементов и узлов монолитных интегральных схем СВЧ, обладающих повышенной стойкостью к воздействию перепадов температуры и ионизирующих излучений. Исследованы резонансно-туннельные диоды, pin-диоды, транзисторы на основе GaAs/AlGaAs, GaN/AlN/AlGaN, SiC, функциональные узлы монолитных интегральных схем - фазовращатели, переключатели, усилители. Цель пятого этапа ПНИ - разработка методики оценки надежности и радиационной стойкости сложнофункциональной элементной базы СВЧ-электроники, а также обобщение и оценка полученных результатов. Разработаны: инструкции по проведению контроля параметров многослойных полупроводниковых гетероструктур, элементов и устройств на их основе; методика оценки надёжности и радиационной стойкости элементной базы полупроводниковой СВЧ-электроники; регламент проведения измерений для оценки надёжности и радиационной стойкости элементной базы полупроводниковой СВЧ-электроники; методика структурной оптимизации конструкций и технологических процессов производства полупроводниковых приборов непрерывного и импульсного режима и элементов МИС СВЧ, обладающих пониженной энергией активации механизмов отказа и повышенной стойкостью к воздействию перепадов температуры и ИИ. Подготовлены предложения по использованию полученных результатов ПНИ на предприятии индустриального партнера с учетом его технологических возможностей и особенностей. Представлен проект технического задания на проведение ОКР по теме «Разработка конструкций и технологий производства приборов и устройств гетероструктурной СВЧ-электроники для космических применений». Принято участие в мероприятиях, направленных на освещение и популяризацию предварительных результатов ПНИ (конференции, семинары, симпозиумы, выставки и т.п., в том числе международные): участие в работе международного салона инноваций и изобретений. Подготовлены заявки на два патента. Проведены дополнительные патентные исследования. Оборудованы рабочие места для проектирования приборов и устройств на МИС СВЧ.
ГРНТИ
81.81.07 Надежность. Безотказность, долговечность, ремонтопригодность
47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ СВЧ
СВЧ ДИОДЫ
СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ
СТОЙКОСТЬ К ИОНИЗИРУЮЩИМ ИЗЛУЧЕНИЯМ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА
НАДЕЖНОСТЬ
Детали

НИОКТР
№ 114121550158
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (национальный исследовательский университет)"
Похожие документы
Исследование физических процессов деградации многослойных полупроводниковых гетероструктур МИС СВЧ и их элементов в результате действия перепадов температуры и ИИ. Этап 3
0.935
ИКРБС
Обобщение результатов исследований и разработка рекомендаций по повышению надёжности и радиационной стойкости сложнофункциональной элементной базы
0.933
ИКРБС
Разработка методик для оценки надёжности и радиационной стойкости базовых элементов сложнофункциональной элементной базы аппаратуры космического назначения. Проведение экспериментальных исследований тестовых структур на надёжность в условиях эксплуатации
0.931
ИКРБС
Разработка базовой технологии создания МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурах для приемо-передающих модулей на частоту 8 - 12 ГГц. Экспериментальные исследования. Этап 4
0.918
ИКРБС
Экспериментальное исследование и моделирование физических эффектов в компонентах аналого-цифровых БиКМОП интегральных микросхем, работающих в экстремальных условиях широкого диапазона температур и воздействия радиации космоса (заключительный, этап 2024 г.)
0.918
ИКРБС
Отчет о выполнении НИОКР по теме: "Разработка и испытания прототипа программного комплекса для измерения параметров и построения моделей СВЧ-устройств в автоматическом режиме" (заключительный)
0.918
ИКРБС
Разработка методического и программно-информационного комплекса для проведения конструкторско-технологической оптимизации гибридных и монолитных интегральных схем СВЧ на основе многослойных полупроводниковых гетероструктур на примере устройств с использованием резонансно-туннельных А3В5 наноразмерных гетероструктур
0.916
ИКРБС
Разработка эскизной технической документации и изготовление экспериментального образца
0.915
ИКРБС
Разработка и изготовление экспериментальных образцов
0.914
ИКРБС
Обобщение и оценка результатов (заключительный)
0.913
ИКРБС