ИКРБС
№ АААА-Б16-216091550002-1

Разработка базовых технологических маршрутов, эскизной документации и изготовление сильноточных твердотельных автоэмиссионных и вакуумных автоэмиссионных диодов

02.09.2016

Объекты исследования: базовые технологические маршруты формирования вакуумных и твердотельных сильноточных автоэмиссионных СВЧ-диодов (ВАД и ТАД) для работы в диапазоне частот 30 ГГц и более. Цель: разработка базовых технологических маршрутов формирования ТАД и ВАД. Изготовлены экспериментальные образцы ТАД и ВАД. Разработана уникальная конструкция устройства, позволяющего визуально регистрировать степень однородности автоэмиссии электронов с поверхности автокатодов большой площади. Изучены особенности пороговых характеристик автоэмиссионных сред различных конструкций. Предложены конструкция и технология изготовления вакуумно-плотного корпуса для автокатодов СВЧ-диодов большой площади. Изготовлены экспериментальные образцы таких корпусов. Разработаны электрические блоки к экспериментальному измерительному стенду для изучения в импульсном режиме характеристик автоэмиссии в низковольтных образцах ТАД и высоковольных образцах ВАД, экспериментальный диагностический стенд для проведения функциональных и СВЧ-измерений экспериментальных образцов ТАД и ВАД. Выполнены измерения морфологии, элементного и фазового составов и их профилей для исходных слоев приборных структур экспериментальных образцов ТАД и ВАД.
ГРНТИ
29.35.47 Твердотельные приборы СВЧ-диапазона
29.35.45 Вакуумные электронно-волновые приборы СВЧ-диапазона
47.33.37 Приборы функциональной микроэлектроники
Ключевые слова
АВТОЭМИССИЯ
ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ АЛМАЗНЫЕ ПЛЕНКИ
ВТОРИЧНАЯ ЭМИССИЯ
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
СВЧ ДИОД
Детали

НИОКТР
№ 01201375968
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Похожие документы
Разработка базовых технологических процессов и изготовление экспериментальных образцов автоэмиссионных сред и приборных структур для сильноточных твердотельных автоэмиссионных и вакуумных автоэмиссионных диодов
0.971
ИКРБС
Проведение измерений характеристик экспериментальных образцов автоэмиссионных сред и приборных структур и выработка рекомендаций по изготовлению экспериментальных образцов сильноточных твердотельных автоэмиссионных и вакуумных автоэмиссионных диодов на их основе
0.947
ИКРБС
Теоретические исследования, выбор технологических и конструкторских решений по разработке сильноточных твердотельных автоэмиссионных и вакуумных автоэмиссионных диодов
0.946
ИКРБС
Проведение экспериментальных исследований сильноточных твердотельных автоэмиссионных и вакуумных автоэмиссионных диодов и оценка результатов выполнения НИР
0.938
ИКРБС
Разработка технологических подходов и создание автоэмиссионного катодно-сеточного узла (КСУ) с пониженными значениями рабочих напряжений и малым перехватом электронного потока для электровакуумных устройств различного назначения
0.911
ИКРБС
Разработка технологических подходов и создание автоэмиссионного катодно-сеточного узла (КСУ) с пониженными значениями рабочих напряжений и малым перехватом электронного потока для электровакуумных устройств различного назначения
0.911
ИКРБС
Разработка технологических подходов и создание автоэмиссионного катодно-сеточного узла (КСУ) с пониженными значениями рабочих напряжений и малым перехватом электронного потока для электровакуумных устройств различного назначения
0.908
ИКРБС
Отчет о прикладных научных исследованиях и экспериментальных разработках. Разработка импульсных твердотельных генераторов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов волн на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs по теме: Теоретические исследования. II этап (промежуточный)
0.901
ИКРБС
Апробация технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых квантово-размерных наногетероструктур активной области и распределенных брэгговских отражателей для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Разработка методик измерения характеристик тестовых кристаллов ВИЛ
0.899
ИКРБС
Разработка конструкции и технологии изготовления приборов вакуумной микроэлектроники, этап 1
0.898
НИОКТР