Исследования и разработка микроволновых плазменных технологий создания кремний-углеродных наноструктур для новой радиационно стойкой элементной базы микро- и вакуумной СВЧ-электроники

Показано, что предварительная обработка в низкоэнергетичной плазме аргона позволяет, по сравнению с плазмохимической обработкой в среде хладона-14, в 5 - 6 раз увеличить высоту выступов на кремнии. Характер морфологических изменений поверхности кристаллов кремния зависит от длительности высокоанизатропного травления через осажденные островковые углеродные масковые покрытия и практически не зависит от типа проводимости полупроводников. В отличие от этого оптимальные режимы получения полевых источников электронов с минимальными порогами автоэмиссии и максимальными плотностями автоэмиссионных токов, а также оптимальные значения их аспектных отношений и поверхностные плотности эмитирующих выступов существенно зависят от типа электропроводности используемых кристаллов.