Разработка микроволновых плазменных технологий создания и изучение квантово-размерных свойств кремний-углеродных гетероструктур для элементной базы наносистемной техники и вакуумной электроники.

Цель работы - исследование влияния СВЧ плазменной микрообработки на электронные свойства поверхности и процессы самоорганизации и наноструктурирования углеродных образований на пластинах кремния кристаллографической ориентации (100), изучение возможности создания на их основе пространственных кремниевых наносистем для полевых источников электронов и светоизлучающих устройств. Изучены закономерности влияния температуры, вида предварительной плазменной обработки в различных химически активных газовых средах и длительности микроволнового плазмохимического осаждения из паров этанола низкого давления субмонослойных углеродных покрытий на параметры морфологии поверхности пластин кремния (100) различных типов проводимости. Установлена возможность активного формирования электронных свойств поверхности полупроводниковых кристаллов за счет изменения условий их поверхностной обработки. Показано, что автоэмиссионные свойства кристаллов кремния (100) определяются составом поверхностных фаз, образующихся при плазменной обработке пластин кремния в различных химически активных плазмообразующих средах. Результаты исследования ориентированы на разработку микроструктур для элементов наносистемной техники, в частности микровакуумных приборов на основе устройств с автоэлектронной эмиссией и светоизлучающих структур.