ИКРБС
№ АААА-Б17-217062720014-0Обобщение и оценка результатов (заключительный)
22.06.2017
Объект исследования - конструктивно-технологические решения для разработки элементной компонентной базы высокотемпературной микроэлектроники на структурах кремний-на-изоляторе. Цель исследования - разработка комплекса конструктивно-технологических решений, направленных на создание технологий и конструкций изделий высокотемпературной микроэлектроники на рабочий диапазон температур от минус 60ºС до плюс 225ºС на структурах кремний-на-изоляторе с проектными нормами 0,5 мкм.На пятом этапе ПНИ выполнено обобщение результатов ПНИ, сопоставление анализа научно-информационных источников и результатов теоретических и экспериментальных исследований; оценена эффективность полученных результатов в сравнении с современным научно-техническим уровнем; осуществлен анализ выполнения требований ТЗ на ПНИ; проведена оценка полноты решения задач и достижения поставленных целей ПНИ; выполнена технико-экономическая оценка рыночного потенциала полученных результатов; разработаны технические требования и предложения по производству и эксплуатации продукции с учетом технологических особенностей индустриального партнера (ПАО «Микрон»). Подготовлен проект технического задания на проведение ОТР по теме «Разработка базового технологического процесса изготовления изделий высокотемпературной электроники с проектными нормами 0,5 мкм». Актуальность поисковых исследований и разработки отечественных технологий высокотемпературной микроэлектроники на КНИ структурах с проектной нормой 0,5 мкм определяется тем, что в обозримом будущем прогнозируется создание и использование новейших интеллектуальных средств вооружений не только с повышенной точностью поражения цели, но и живучестью даже в условиях экстремальных воздействий. Экспорт подобных средств и технологий их изготовления жестко ограничен. Как аналоговые, так и цифровые интегральные схемы имеют большое количество применений, например, в бытовой электронике и промышленном измерительном оборудовании. Последние должны надежно работать в температурном диапазоне, определяемом техническим заданием заказчика.
ГРНТИ
59.14.02 Общие проблемы
Ключевые слова
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ
ТОК УТЕЧКИ
МОП-ТРАНЗИСТОР
РЕЖИМ ПОЛНОГО ОБЕДНЕНИЯ
РЕЖИМ ЧАСТИЧНОГО ОБЕДНЕНИЯ
ПОРОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ
ТОК НАСЫЩЕНИЯ
ИСТОК
ЗАТВОР
СТОК.
Детали
НИОКТР
№ 114121750057
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники"
Похожие документы
Исследование конструктивно-технологических решений для разработки элементной компонентной базы высокотемпературной микроэлектроники на структурах «кремний на изоляторе»
0.946
ИКРБС
Разработка конструктивно-технологических решений по созданию семейства микроэлектронных элементов на структурах кремний на изоляторе (КНИ), обеспечивающего возможность создания высокотемпературных датчиков внешних воздействий различного функционального назначения. Экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач. Этап 4
0.938
ИКРБС
Разработка и изготовление экспериментальных образцов
0.933
ИКРБС
Теоретические исследования поставленных перед ПНИ задач (3-й очереди).
0.928
ИКРБС
Исследование конструктивно-технологических принципов обработки подложек полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм и эпитаксиального роста AlInGaN наногетероструктур для мощных СВЧ-транзисторов и МИС для высокоскоростных беспроводных сетей четвертого поколения
0.925
ИКРБС
Теоретические и экспериментальные исследования технологических операций
0.922
ИКРБС
Выбор направления исследований
0.918
ИКРБС
Разработка конструкторско-технологических решений создания электронной компонентной базы на широкозонных полупроводниках для современной радиоэлектронной аппаратуры в диапазоне частот 30 - 60 ГГц. Экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач
0.917
ИКРБС
Разработка требований к элементам новой технологии создания высоковольтных силовых MOSFET приборов на карбиде кремния
0.915
НИОКТР
ОТЧЕТО ПРИКЛАДНЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХРазработка конструктивно-технологических решений по созданию семейства микроэлектронных элементов на структурах кремний на изоляторе (КНИ), обеспечивающего возможность создания высокотемпературных датчиков внешних воздействий различного функционального назначенияпо теме:ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОСТАВЛЕННЫХ ПЕРЕД ПНИ ЗАДАЧ (3- ОЙ ОЧЕРЕДИ)(промежуточный)Этап 3
0.914
ИКРБС