Исследование комплекса технологических проблем и поиск путей создания СВЧ элементной базы на основе наногетероструктур на подложках карбида кремния, работающей с высокой отдаваемой мощностью

Объект исследования - гетероэпитаксиальная структура AlGaN/GaN на подложках высокоомного SiC. Цель исследования - изучение базовых технологий изготовления элементов конструкции СВЧ НЕМТ на основе гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN на подложках высокоомного SiC, обеспечивающих работоспособность НЕМТ, имеющих повышенную отдаваемую мощность. Проведены: анализ отечественных и зарубежных источников информации; исследования и выбор базовой конструкции и технологии изготовления металлизации обратной стороны кристалла СВЧ НЕМТ. Совместно с заказчиком выполнены исследования и выбор базовой конструкции и технологии изготовления маски для получения сквозных металлизированных отверстий кристалла СВЧ НЕМТ. Разработан технологический процесс утонения и полировки пластин. Проведены исследования и выбор критериев качества полированной поверхности.