Разработка и исследование технологии изготовления мощных СВЧ транзисторов и МИС на основе AlInGaN наногетероструктур на подложках полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм

26.04.2018

Цель: исследование особенностей проведения технологических операций изготовления СВЧ-мощных транзисторов и МИС на гетероструктурах из нитрида галлия на карбиде кремния, разработка технологического маршрута, изготовление экспериментальных образцов. Задачи: разработать эскизную конструкторскую и лабораторную технологическую документацию на изготовление СВЧ-транзисторов и МИС, программы и методики исследовательских испытаний экспериментальных образцов СВЧ-транзисторов и МИС. Разработаны эскизная конструкторская документация и лабораторная маршрутная карта технологии изготовления СВЧ-транзисторов и МИС, программы и методики исследовательских испытаний статических характеристик экспериментальных образцов СВЧ-транзисторов и МИС.

ГРНТИ

47.13.10 Технология и оборудование для производства изделий электронной техники СВЧ-диапазона

Ключевые слова

ТРАНЗИСТОР

ПОДЛОЖКА КАРБИДА КРЕМНИЯ

СВЧ ЭЛЕКТРОНИКА

ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

НИТРИД ГАЛЛИЯ

ПОСТРОСТОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ

Детали

НИОКТР

№ 115060810005

Заказчик

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук

Исполнитель

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"

Похожие документы

Исследование комплекса технологических проблем и поиск путей создания СВЧ элементной базы на основе наногетероструктур на подложках карбида кремния, работающей с высокой отдаваемой мощностью

0.960

ИКРБС

Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ- транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия

0.952

НИОКТР

Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ-транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия

0.950

ИКРБС

Исследования конструктивно-технологических принципов обработки подложек полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм и эпитаксиального роста AlInGaN наногетероструктур для мощных СВЧ транзисторов и МИС для высокоскоростных беспроводных сетей четвертого поколения.

0.949