ИКРБС
№ АААА-Б17-317122040011-0Разработка и отработка технологических операций по формированию мез глубиной до 3 мкм на структурах InGаAs диаметром до 76 мм
12.12.2017
Разработаны и отработаны технологические операции по формированию мез глубиной до 3 мкм на структурах InGаAs диаметром до 76 мм. Разработаны и отработаны технологические процессы: плазмохимического осаждения диэлектрических плёнок Si₃N₄/SiO₂, формирования фотолитографической маски под плазмохимическое травление SiO₂/Si₃N₄, плазмохимического травления слоев SiO₂/Si₃N₄, плазмохимического травления слоев InGaAs, плазмохимической очистки.
ГРНТИ
47.13.07 Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
Ключевые слова
ФОТОЛИТОГРАФИЯ
ПЛАЗМО-ХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ
ФОТОШАБЛОН
Детали
Заказчик
Акционерное общество "Оптрон"
Исполнитель
Общество с ограниченной ответственностью "Научно-образовательный центр ФИАН и МИЭТ "КВАНТОВЫЕ ПРИБОРЫ И НАНОТЕХНОЛОГИИ"
Похожие документы
Разработка и отработка технологических операций по формированию мез глубиной до 3 мкм на структурах InGаAs диаметром до 76 мм
0.970
НИОКТР
Разработка и проведение технологических операций формирования металлизации под контакт по «взрывной» технологии со стороны мез на пяти структурах A³B⁵
0.925
ИКРБС
Разработка физических основ формирования масок методом прямой ионной субмикронной литографии для создания элементов интегральной нанофотоники с использованием селективной эпитаксии соединений A3N. (заключительный)
0.915
ИКРБС
Разработка физических основ формирования масок методом прямой ионной субмикронной литографии для создания элементов интегральной нанофотоники с использованием селективной эпитаксии соединений A3N
0.913
НИОКТР
Разработка и проведение технологических операций формирования металлизации под контакт по «взрывной» технологии со стороны мез на пяти структурах A3B5.
0.911
НИОКТР
Разработка и проведение технологических операций по предлагаемому маршруту
0.906
ИКРБС
Технологии микропрофилирования и формирования контактных систем для микроприборов на основе нитридов III группы
0.901
Диссертация
Разработка технологического процесса нанесения тонких пленок соединения Ge-Sb-Te на поверхность кремниевого волновода элемента энергонезависимой оптической памяти
0.898
НИОКТР
Разработка технологического процесса нанесения тонких пленок соединения Ge-Sb-Te на поверхность кремниевого волновода элемента энергонезависимой оптической памяти
0.893
ИКРБС
Разработка лабораторной технологии легирования углеродных наноструктурированных пленок
0.891
НИОКТР