Разработка и отработка технологических операций по формированию мез глубиной до 3 мкм на структурах InGаAs диаметром до 76 мм

Объект исследования: фотолитографическая маска под плазмохимическое травление SiO2/Si3N4;Целью работы : разработка и отработка технологических операций по формированию мез глубиной до 3 мкм на структурах InGаAs диаметром до 76 мм ;В результате работы должен быть разработан и отработан технологический процесс плазмохимического осаждения диэлектрических плёнок Si3N4/SiO2;формирование фотолитографической маски под плазмохимическое травление SiO2/Si3N4;плазмохимическое травление слоев SiO2/Si3N4 ;плазмохимическое травление слоев InGaAs ;плазмохимическая очистка ;