Разработка физических основ формирования масок методом прямой ионной субмикронной литографии для создания элементов интегральной нанофотоники с использованием селективной эпитаксии соединений A3N. (заключительный)

Цель: экспериментальные исследования влияния технологических параметров прямой ионной литографии (экспозиционная доза, рабочий ток, число экспонирований) на скорость и профиль травления сфокусированным пучком ионов Ga⁺ слоистых структур на основе соединений нитрида галлия и структур диэлектрик - нитрид галлия. Показано, что при травлении структур Si₃N₄/GaN на поверхности литографического рисунка происходит накопление галлия из-за различной скорости травления Si₃N₄ и GaN. Установлено, что использование газа-прекурсора XeF₂ позволяет увеличить скорость травления в ~7 раз; скорость травления насыщается с ростом плотности ионного тока; при одной и той же экспозиционной дозе скорость травления больше, когда экспозиционная доза набирается многократным экспонированием. Определены оптимальные режимы травления, обеспечивающие минимальную шероховатость травленой поверхности и максимальную скорость травления.