РАЗРАБОТКА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ОСНОВ ХИМИЧЕСКИ УПРАВЛЯЕМОГО СИНТЕЗА ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК НА ПОЛУПРОВОДНИКАХ А3В5 ДЛЯ ОПТО- И МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ, ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СЕНСОРОВ

Предложен подход, заключающийся в модифицировании поверхности InP магнетронно нанесенными наноразмерными слоями MnO₂ и последующем введении в реакционную зону Mn₃(PO₄)₂ через газовую фазу. Установлено увеличение скорости роста пленок по сравнению как с собственным оксидированием InP, так и с MnO₂/InP. Выявлено, что модифицирование поверхности A³B⁵ наноразмерными (порядка 30 нм) слоями MnO₂ приводит к заметному увеличению скорости роста плёнок в процессе термооксидирования (максимальная величина относительного увеличения толщины плёнки до 7,5 раз в процессах термооксидирования GaAs и до 2 раз в случае InP) и реализации транзитного механизма процесса. Установлено, что импульсная фотонная обработка магнетронно сформированных гетероструктур V₂О₅/InP и MnО₂/InP в течение 0,2 с приводит к увеличению толщины плёнок за счёт процесса оксидирования гетероструктур на воздухе. Модифицирование поверхности GaAs и InP парами серы с использованием различных методик (метод «сэндвича», осаждение из газовой фазы) влияет на темп роста формируемых оксидных пленок. Разработана методика нанесения на поверхность Si и InP наноразмерных плёнок системы Y₂O₃-Fe₂O₃, установлена зависимость их толщины от режима центрифугирования геля. Предложены методики, которые позволяют синтезировать на поверхности полупроводников А³B⁵ наноразмерные плёнки с варьируемыми в широких пределах электрофизическими свойствами: от полупроводниковых (обладающих в том числе газочувствительными свойствами) до диэлектрических.