РАЗРАБОТКА ФИЗИЧЕСКИХ ОСНОВ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ В АКТИВНЫХ ОБЛАСТЯХ ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ

27.12.2019

Объект исследования: многокомпонентные твердые растворы на основе полупроводниковых соединений A³B⁵. Цель: решение фундаментальных проблем физики и технологии приборно-ориентированных полупроводниковых структур, разработка конструкций эффективных устройств инфракрасной оптики и возобновляемой энергетики. Разработаны физико-технические основы выращивания тонких пленок и структур на основе многокомпонентных твердых растворов для использования в фоточувствительных гетероструктурах. Определены границы существования твердых растворов AlGaInAsP, синтезированных на подложках фосфида индия. Получены концентрационные зависимости коэффициентов распределения компонентов в гетеросистеме AlxGayIn1–x–yAszP1–z/InP. Исследовано влияние условий синтеза на структурные и люминесцентные свойства твердых растворов AlGaInAsP на InP. Изучено влияние условий выращивания на структурное совершенство тонкопленочных гетероструктур AlInGaAsP/InP. Приведены основные параметры, определяющие структурное совершенство и качество поверхности тонких эпитаксиальных пленок AlInGaAsP, выращенных на подложках фосфида индия из жидкой фазы в поле температурного градиента. Исследовано влияние висмута на структурное совершенство, люминесцентные свойства и внешний квантовый выход гетероструктур AlGaInAsPhBi/InP.

ГРНТИ

29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры

29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела

Ключевые слова

ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

КОЭФФИЦИЕНТ ТЕРМИЧЕСКОГО РАСШИРЕНИЯ

КРИВАЯ ДИФРАКЦИОННОГО ОТРАЖЕНИЯ

УПРУГИЕ НАПРЯЖЕНИЯ

ДИСЛОКАЦИИ

Детали

НИОКТР

№ 01201354240