Прикладные междисциплинарные исследования в нано-, био-, инфо- и когнитивных технологияхп.п. 1.5. "Разработка методов повышения отказоустойчивости, в том числе радиационной стойкости полупроводниковых приборов и интегральных схем на основе технологических и схемотехнических подходов"

Цель: разработка методов повышения радиационной стойкости и отказоустойчивости микро- и наноэлектронных схем. Показано, что квадрированные микросхемы с одинаковыми типами дефектов в одиночных транзисторах обеспечивают уменьшение вероятности отказа под влиянием облучения на один – два порядка по сравнению с покомпонентно дублированными, а девятикратно-резервированные микросхемы позволяют увеличить отказоустойчивость микросхем по сравнению с квадированными еще на порядок. Рассмотрено влияние геометрии двумерных кремниевых структур на ядерные и электронные потери первично выбитых атомов, атомов отдачи и продуктов ядерных реакций с нейтронами с энергией до 14 МэВ. Проведена имплантация ионов кремния непосредственно в сапфир, рентгеновскими и электронно-микроскопическими методами обнаружено образование различных наноразмерных включений кремния, которые могут служить для геттерирования радиационных дефектов.