ИКРБС
№ АААА-Б20-220070690019-4Повышение отказоустойчивости функционирования цифровых интегральных схем в условиях воздействия высокоэнергетических частиц (промежуточный, этап 1)
29.06.2020
Цель работы: разработка способов повышения отказоустойчивости цифровых микро- и наноэлектронных схем. Методология проведения работ: экспериментальное усовершенствование кремниевых пластин в результате ионной имплантации и отжига; теоретический анализ радиационной стойкости резервированных микросхем. Основные результаты: 1. в результате ионной имплантации кремния в сапфир и последующего высокотемпературного отжига в приповерхностной области сапфира образуются преципитаты кремния и алюмосиликатов; 2. изучены возможности применения теории и статистики экстремальных величин для оценки первичных радиационных повреждений в результате облучения микросхем реакторными нейтронами; 3. предложены способ косвенного измерения отказоустойчивости, обеспечиваемой различными способами постоянного поэлементного резервирования; 4. расчетно-теоретическим путем получена зависимость образования структурных дефектов решетки с точки зрения классического размерного эффекта.
ГРНТИ
47.33.31 Интегральные микросхемы
29.19.31 Полупроводники
Ключевые слова
ОТКАЗОУСТОЙЧИВОСТЬ
ОБЛУЧЕНИЕ
НЕЙТРОНЫ
РЕЗЕРВИРОВАНИЕ
ИМПЛАНТАЦИЯ
ГЕТТЕРИРОВАНИЕ
Детали
Заказчик
Правительство Российской Федерации
Исполнитель
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
Похожие документы
Прикладные междисциплинарные исследования в нано-, био-, инфо- и когнитивных технологияхпо теме 1.5: РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ ПОВЫШЕНИЯ ОТКАЗОУСТОЙЧИВОСТИ, В ТОМ ЧИСЛЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ОСНОВЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ И СХЕМОТЕХНИЧЕСКИХ ПОДХОДОВ (промежуточный, этап 2019 года)
0.942
ИКРБС
Прикладные междисциплинарные исследования в нано-, био-, инфо- и когнитивных технологияхПо теме:Разработка методов повышения отказоустойчивости, в том числе радиационной стойкости полупроводниковых приборов и интегральных схем на основе технологических и схемотехнических подходов (промежуточный, этап 2019 года)
0.934
ИКРБС
Прикладные междисциплинарные исследования в нано-, био-, инфо- и когнитивных технологияхп.п. 1.5. "Разработка методов повышения отказоустойчивости, в том числе радиационной стойкости полупроводниковых приборов и интегральных схем на основе технологических и схемотехнических подходов"
0.919
ИКРБС
Разработка физических основ инжекционно-термической обработки наноразмерных диэлектрических пленок структур металл-диэлектрик-полупроводник для повышения надежности и радиационной стойкости приборов и интегральных микросхем на их основе.
0.886
НИОКТР
Архитектурные и схемотехнические методы снижения энергопотребления и повышения сбоеустойчивости микропроцессоров и коммуникационных контроллеров высокопроизводительных ЭВМ
0.884
НИОКТР
Исследование электрофизических свойств полупроводников в интенсивных пучках жесткого электромагнитного излучения: компьютеризированные средства моделирования и удаленного мониторинга процессов электрической релаксации в прибороориентированных кристаллах высокой степени интеграции и цифровых цепях
0.883
ИКРБС
Обобщение и оценка результатов (заключительный)
0.882
ИКРБС
Разработка и совершенствование конструктивно-технологического базиса отечественной электронной компонентной базы (промежуточный).
0.881
ИКРБС
Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки
0.881
Диссертация
Исследование и разработка конструктивно-технологических методов улучшения электрических характеристик радиационно-стойких микросхем в условиях серийного производства
0.880
Диссертация