Исследование возможностей построения и разработка современной отечественной сверхвысокочастотной элементной базы на основе гетероструктурных биполярных транзисторов в части создания супергетеродинных приемных трактов дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн типа сверхбыстродействующая система на кристалле для создания принципиально новых типов аппаратуры, предназначенных для использования в существующих и разрабатываемых летательных аппаратах «ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ» (заключительный, этап 3)

Цель выполнения ПНИ: создание экспериментально верифицированного научно-технического задела в области разработки сверхбыстродействующей системы на кристалле - сверхширокополосного супергетеродинного приемника дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн.Цель этапа: проведение экспериментальных исследований; разработка схемотехнического представления умножителя частоты, программно-конфигурируемого фильтра и трансимпедансного усилителя; разработка топологических описаний умножителя частоты, программно-конфигурируемого фильтра и трансимпедансного усилителя; разработка программы и методики измерения экспериментальных образцов и проведение экспериментальных исследований умножителя частоты, программно-конфигурируемого фильтра и трансимпедансного усилителя; разработка схемотехнического описания и топологического представления СнК СШСГП ДСД в целом; анализ и верификация разработанной СнК СШСГП ДСД в целом с учетом паразитных параметров; доработка СнК СШСГП ДСД в целом по результатам верификации; разработка программы и методики измерения экспериментальных образцов, изготовление оснастки и проведение экспериментальных исследований малошумящего СнК СШСГП ДСД в целом; анализ полученных, в ходе экспериментальных исследований, данных; обобщение и оценка результатов ПНИ, проведение анализа полноты решения задач и достижения поставленной цели ПНИ, разработка рекомендаций по использованию результатов ПНИ; разработка проекта технического задания на проведение ОКР.Методы исследований. В работе использовались методы теории радиотехнических цепей и сигналов; теории четырехполюсников; положения физики полупроводников; теория математического моделирования; методы моделирования электронных схем на основе программы SpectreRF, экспериментальные методы измерений электрических величин.Назначение и область применения результатов проекта. Назначение и область применения результатов проекта, полученных на третьем этапе, заключается в разработке, верификации и экспериментальном исследовании отдельных сложно-функциональных блоков, входящих в состав сверхбыстродействующей системы на кристалле для последующей разработки всей системы в целом.В ходе выполнения проекта на этапе 3 были получены схемотехнические и топологические решения трансимпедансного усилителя, умножителя частоты, программно-конфигурируемого фильтра и СнК СШСГП ДСД в целом. На основе полученных решений разработаны экспериментальные образцы интегральных микросхем и проведены экспериментальные исследования.Наилучшие решения СФ-блоков с учетом доработок были использованы при проектировании СнК СШСГП ДСД. Топологическое описание СнК СШСГП ДСД было разработано для кремний-германиевого технологического процесса 130 нм. Выполнена экстракция паразитных параметров (RLC – элементов) всей СнК в целом с целью верификации и доработки схемотехнического и топологического описания. Выполненные доработки на основе анализа результатов верификации позволили увеличить запас по рабочему частотному диапазону и уменьшить шумовые характеристики.Работы, выполненные по проекту на этапе № 3 и в целом, удовлетворяют требованиям Технического задания и Плана-графика исполнения обязательств по Соглашению о предоставлении субсидии от «26» сентября 2017 г. № 14.574.21.0164 и отвечают целям и задачам коммерциализации результатов проекта.Проект, реализованный по Соглашению о предоставлении субсидии от «26» сентября 2017 г. № 14.574.21.0164, готов к переходу в стадию опытно-конструкторских работ.