ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ СТРУКТУРЫ СЛОЖНЫХ ОКСИДОВ ДЛЯ ПЕРСПЕКТИВНЫХ ПРИЛОЖЕНИЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

Объектами исследования являются тонкопленочные структуры простых и сложных оксидов для перспективных приложений электроники. Цели первого этапа проекта заключались в отработке технологии роста и структурных исследованиях простых бинарных оксидов, таких как оксиды титана, ванадия, алюминия, цинка, олова, никеля и вольфрама. В ходе выполнения 1-го промежуточного этапа НИР получены следующие научные результаты. 1) Определены условия роста для получения оксидов TiOx, VOx, NiOx, AlOx, ZnOx, SnOx, WOx, методами дугового распыления, ионно-плазменного напыления, атомно-слоевого осаждения и реактивного импульсного лазерного осаждения. 2) Проведены исследования структурно-морфологических свойств полученных пленок методами атомно-силовой и электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, комбинационного рассеяния света, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, резерфордовского обратного рассеяния и др. Определены параметры кристаллической структуры тонких оксидных пленок, стехиометрия образцов, шероховатость поверхности и т.д. 3) Опубликованы и приняты в печать 5 статьи в изданиях, индексируемых в международных базах научного цитирования Web of Science и Scopus. Результаты исследований лягут в основу дальнейших работ по получению сложных оксидов и реализации функциональных структур на их основе. Разработанные структуры могут применяться в качестве элементов памяти (мемристоров), прозрачных проводящих электродов, газовых сенсоров и т.д.»