ИКРБС
№ 223021700032-6

Развитие представлений о процессах синтеза и свойствах наноразмерных материалов и гетероструктур для электроники и фотоники

25.01.2023

Объект исследования - функциональные структуры электроники и фотоники. Цель работы - Создание физико-технологических принципов управления структурой и свойствами наноматериалов для формирования функциональных структур электроники и фотоники. В ходе выполнения 3-го этапа НИР были исследованы методы формирования, исследовано влияния термической обработки и проведены практические испытания для новых электродных полупроводниковых развитых наноструктур TiO2, TiO2/AgxO, SrTiO3/TiO2 для фотоэлектрических преобразователей энергии. Разработаны технологические маршруты формирования, изготовлены и испытаны фоточувствительные слои на основе германиефых фотокатодов и поликристаллических алмазов. Разработана ГКР-подложка на основе многослойной термитной структуры Ti/CuO с возможностью длительного хранения и активации непосредственно перед измерением. Исследованы зависимости геометрических и оптических характеристик массивов Ag наночастиц на планарной поверхности от массы применяемого материала и параметров термической обработки. Разработана методика подготовки ГКР-подложек на основе Ag наночастиц. Исследованы эпитаксиальные пленки двумерного теллурида галлия c моноклинной и гексагональной фазой на кремнии. Область применения – индустрия наносистем. Значимость работы – проводимые в рамках проекта исследования позволят создавать ряд устройств преобразования и хранения энергии, а также чувствительных элементов оптоэлектроники и нанофотоники на основе новых наноматериалов с уникальными функциональными свойствами.
ГРНТИ
47.09.48 Наноматериалы для электроники
44.41.29 Установки прямого преобразования химической энергии в электрическую
31.15.33 Электрохимия
Ключевые слова
электроника
наноразмерные структуры
гетероструктура
фотоника
Наноматериалы
Детали

Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
Бюджет
Средства федерального бюджета: 28 294 000 ₽
Похожие документы
Развитие представлений о процессах синтеза и свойствах наноразмерных материалов и гетероструктур для электроники и фотоники.
0.984
ИКРБС
Развитие представлений о процессах синтеза и свойствах наноразмерных материалов и гетероструктур для электроники и фотоники
0.958
НИОКТР
Развитие технологии формирования и исследование наноструктур и новых компонентов наноэлектроники на основе полупроводниковых, металлических и сверхпроводниковых слоев
0.951
ИКРБС
Перспективные материалы и структуры элементной базы современной электроники и оптоэлектроники и устройства на их основе
0.943
НИОКТР
Перспективные материалы и структуры элементной базы современной электроники и оптоэлектроники и устройства на их основе
0.943
НИОКТР
Развитие технологии формирования и исследование наноструктур и новых компонентов наноэлектроники на основе полупроводниковых, металлических и сверхпроводниковых слоев
0.941
ИКРБС
Исследование механизмов формирования, структуры, электрофизических и оптических свойств дисперсных, объемных и тонкопленочных материалов с нанокристаллической структурой на основе многокомпонентных композиций широкозонных оксидов
0.938
ИКРБС
Физика низкоразмерных структур и полупроводниковых наноматериалов
0.938
ИКРБС
1.10. Создание материалов для термоэлектрических генераторов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов, модификация их реальной структуры и свойств внешними воздействиями.
0.937
НИОКТР
ФИЗИКА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОМАТЕРИАЛОВ
0.937
ИКРБС