Тонкопленочные структуры сложных оксидов для перспективных приложений электроники

Объектом исследования являются тонкопленочные структуры простых и сложных оксидов. Цели работ по третьему этапу проекта: - формирование и исследование тонкопленочных структур сложных оксидов; - получение, исследования и демонстрация функциональных свойств оксидных наноструктур. В процессе работы проводились экспериментальные исследования тонкопленочных простых оксидов (VnO2n+1, HfO2), гетероэпитаксиальных пленок сложных оксидов (LaCoO3, BaTiO3, SrTiO3), в том числе отрабатывались новые подходы к их исследованию. Дополнительно проводились теоретические исследования фундаментальных свойств сложных оксидов (Pr0,5Sr0,5CoO3, BiMnO3+δ) и гибридных структур (CS/ZnO(+Ag), TiNxOy). В ходе выполнения НИР получены следующие основные научные результаты: 1) определена кристаллическая структура, размеры кристаллитов и зерен, морфология поверхности, эпитаксиальные соотношения для полученных пленок BaTiO3, SrTiO3, LaCoO3; 2) продемонстрирован мемристивный эффект в сложных сегнетоэлектрических оксидах; 3) написано и принято к публикации 7 статей в издания, индексируемые Web of Science и Scopus (присвоено doi – 6 шт, принято к печати – 1 шт). Результаты этого и предыдущих этапов стали основанием для получения 1 патента на полезную модель, подачи 1 патентной заявки на изобретение, вошли в 1 диссертационную работу и были представлены в 1 докладе (с публикацией тезисов) на международной конференции. Также в процессе написания и публикации находятся 5 статей. Достигнутые результаты будут применяться в дальнейших работах по проекту, а также лягут в основу ряда работ с партнерами из других исследовательских центров (Институт Физики им. Л. В. Киренского СО РАН, Красноярск).