Разработка и исследование новых полупроводниковых, сверхпроводниковых, магнитных материалов и структур на их основе для микро- и наноэлектроники

Объектами исследования на текущем этапе работ являются: – спиновые волны в антиферромагнетиках; – эпитаксиальные пленки ферромагнетиков и технология их создания; – источники ТГц диапазона на основе лампы обратной волы, полупроводниковых сверхрешетках, джозефсоновских переходов – структурные переходы в сплавах Гейслера микронных и субмикронных размеров; – методы идентификации объектов по изображениям на ЕМ-алгоритме; – короткопериодные сверхрешетки GaAs/AlAs и InAs/AlSb в режиме доменной неустойчивости; – плазмонные ТГц моды в периодической графеновой структуре; – структуры ферромагнитный метал (парамагнитный металл)/ЖИГ; – метаматериалы миллиметрового диапазона волн на основе планарных частотно-избирательных поверхностей; – сенсорные покрытия высокочастотных датчиков на ПАВ; – наносенсоры на основе нанопроволок и углеродных нанотрубок; – многостенные углеродные нанотрубки и полимерные пленки на их основе. Цель работы – исследование новых сверхпроводниковых, магнитных и полупроводниковых материалов и структур, а также на разработку элементов на их основе для применения в современной микроэлектронике. Работа проводилась методами теоретических оценок параметров, численного моделирования и построения аналитических моделей, разработки технологий и изготовления экспериментальных образцов, и их комплексного экспериментального исследования. В результате исследований были получены характеристики новых сверхпроводниковых, полупроводниковых и магнитных структур, а также устройств на их основе. Были разработаны новые алгоритмы и методики. Областями применения результатов являются микро- и наноэлектроника, терагерцовые технологии, медицинские системы, информационно-телекоммуникационных системы.