ИКРБС
№ АААА-Б20-220102290041-7Разработка и исследования новых сверхпроводниковых, магнитных, полупроводниковых материалов и структур для микро- и наноэлектроники
14.01.2020
Объекты исследования: генераторы миллиметровых и субмиллиметровых волн на основе сверхпроводниковых туннельных структур;электронный транспорт в туннельных структурах типа сверхпроводник - изолятор - сверхпроводник различной площади и с различной плотностью тока; сплавы Гейслера семейств Ni - Mn - Z (Z = Ga(Cu), In(Co), Sn, Sb), обладающие магнитоструктурным фазовым переходом;антиферромагнитные структуры из пленок в качестве источника спиновых волн в антиферромагнетике с внешним электромагнитным излучением в качестве подкачки; распространение спиновых волн в трехмерных магнонно-кристаллических, ферромагнитных и антиферромагнитных структурах. Цель: исследование новых сверхпроводниковых, магнитных и полупроводниковых материалов и структур и разработка элементов на их основе для применения в современной микроэлектронике. Получены характеристики новых сверхпроводниковых и магнитных структур, а также устройств на их основе.
ГРНТИ
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.39 Ферромагнетики
29.19.29 Сверхпроводники
29.19.31 Полупроводники
29.35.47 Твердотельные приборы СВЧ-диапазона
Ключевые слова
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
МИЛЛИМЕТРОВЫЕ И СУБМИЛЛИМЕТРОВЫЕ ВОЛНЫ
ГЕНЕРАТОРЫ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
ИСТОЧНИКИ ГЕТЕРОДИНА
НИЗКИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ
СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЕ ТУННЕЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ
ЭФФЕКТ ДЖОЗЕФСОНА
МАГНИТОСТРУКТУРНЫЙ ФАЗОВЫЙ ПЕРЕХОД
МАГНИТОКАЛОРИЧЕСКИЙ
Детали
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова Российской академии наук
Похожие документы
Разработка и исследования новых сверхпроводниковых, магнитных, полупроводниковых материалов и структур для микро- и наноэлектроники
0.972
ИКРБС
Разработка и исследование новых полупроводниковых, сверхпроводниковых, магнитных материалов и структур на их основе для микро- и наноэлектроники
0.970
ИКРБС
Разработка и исследование новых полупроводниковых, сверхпроводниковых, магнитных материалов и структур на их основе для микро- и наноэлектроники
0.968
ИКРБС
Разработка и исследование новых полупроводниковых, сверхпроводниковых, магнитных материалов и структур на их основе для микро- и наноэлектроники
0.963
ИКРБС
Разработка и исследование новых полупроводниковых, сверхпроводниковых, магнитных материалов и структур на их основе для микро- и наноэлектроники
0.960
НИОКТР
Разработка и исследования новых сверхпроводниковых, магнитных, полупроводниковых материалов и структур для микро- и наноэлектроники
0.956
ИКРБС
-Разработка и исследования новых сверхпроводниковых, магнитных, полупроводниковых материалов и структур для микро- и наноэлектроники
0.956
НИОКТР
Разработка новых полупроводниковых, сверхпроводниковых, магнитных структур и методов их исследования для применений в задачах современной микро- и наноэлектроники
0.953
НИОКТР
Разработка и исследование сверхпроводниковых наноструктур для приемных устройств субтерагерцового диапазона
0.938
ИКРБС
Разработка и исследование тонкопленочных наностуктур и сверхпроводниковых устройств для генерации сигналов, приема и обработки информации
0.938
ИКРБС