Разработка высокотемпературных, матричных, многоспектральных фотонных фотоприемников и излучателей для средневолновой ИК области спектра (3-5 мкм)

Объект исследования или разработки: Многоэлементный фотоприёмный элемент, фоточувствительный в средневолновой инфракрасной области спектра (3-5 мкм), работающий в фотовольтаическом режиме без внешнего смещения в широком интервале температур. Цель проекта: Разработка комплекса научно-технических решений, направленных на создание нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств - полупроводниковых диодных фотоприемников микросборной (гибридной) или монолитной конструкций, работающих в спектральной области 3-5 мкм (в том числе двухспектральных) в широком интервале температур, включая повышенные (выше 80 оС); Обеспечение российских потребителей фотоприемниками отечественного производства, работающими в средней ИК области спектра - по совокупности технических характеристик, соответствующих мировому уровню или его превосходящему, с набором уникальных характеристик, в частности: предельно возможными значениями обнаружительной способности и возможностью работы при повышенных температурах в нескольких спектральных областях и имеющими стоимость в несколько раз меньшую стоимости зарубежных аналогов (сравнимую со стоимостью тепловых фотоприемников).